Nos últimos anos, engenheiros eletrônicos têm buscado materiais semicondutores capazes de substituir o silício e viabilizar novos avanços nos dispositivos eletrônicos. Entre as alternativas mais promissoras estão os semicondutores bidimensionais (2D), como o dissulfeto de molibdênio (MoS₂).
Esses materiais 2D são extremamente finos — frequentemente formados por camadas com espessura na escala atômica — e essa característica os torna menos vulneráveis a efeitos indesejados quando os transistores são miniaturizados. Um exemplo desses problemas são os chamados short-channel effects, que prejudicam o controle da corrente elétrica quando o comprimento do canal do transistor se reduz. A resistência desses materiais a tais efeitos pode, portanto, permitir componentes menores sem perda de desempenho.
Por causa dessa combinação de finura e maior resistência a fenômenos que afetam a miniaturização, semicondutores 2D como o MoS₂ são vistos como alternativas capazes de produzir eletrônicos mais compactos e com melhor desempenho, abrindo caminho para a próxima geração de dispositivos.
